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格力家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬臺
- 4月22日下午，格力電器召開2025年第一次臨時股東大會，相比過往歷次股東大會都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機(jī)量已經(jīng)突破100萬臺。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強(qiáng)，實現(xiàn)能耗降低，同時可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強(qiáng)格力空調(diào)的市場競爭力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動化6英寸碳化硅
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清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
- 近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2，處于國際領(lǐng)先水平。source：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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SiC為數(shù)據(jù)中心的冷卻風(fēng)扇提供高密度電源
- 碳化硅 （SiC） 正在接管電動汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉(zhuǎn)換為用于控制電機(jī)的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動機(jī)中的三相逆變器。其中包括數(shù)據(jù)中心的電子換向 （EC） 冷卻風(fēng)扇，這些風(fēng)扇消耗了更多的電力來運(yùn)行 AI 訓(xùn)練和推理，并在此過程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風(fēng)扇帶來了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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凌華智能全球首發(fā)Intel Core? Ultra COM-HPC Mini模塊：95mm×70mm小尺寸迸發(fā)強(qiáng)悍算力
- 超強(qiáng)性能，精巧尺寸，適應(yīng)各種空間限制重點摘要：●? ?三合一超強(qiáng)架構(gòu)：搭載Intel??Core??Ultra處理器，最高14核CPU+8核Xe GPU+集成NPU，AI算力與能效雙優(yōu)●? ?軍工級緊湊設(shè)計：95mm×70mm迷你尺寸，板載64GB LPDDR5x內(nèi)存（7467MT/s），支持-40°C至85°C寬溫運(yùn)行（特定型號）●? ?豐富工業(yè)級接口：集成16通道PCIe、2個SATA、2個2.5GbE網(wǎng)口及DDI/USB
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SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
- 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運(yùn)營成本，還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長一方面是為了降低運(yùn)營成本
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是什么讓SiC開始流行？
- 碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復(fù)雜的材料。用于制造 SiC 功率半導(dǎo)體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規(guī)格和設(shè)備的密集工程來實現(xiàn)商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導(dǎo)體正在改變電力電子領(lǐng)域的游戲規(guī)則，使系統(tǒng)級效率超越硅器件的實際限制，并帶來額外的技術(shù)特定優(yōu)勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導(dǎo)熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關(guān)系優(yōu)于硅，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡單性，SiC 的孕育使二極管領(lǐng)先于 MOSFET 進(jìn)入市場。現(xiàn)在，隨著技術(shù)進(jìn)步收緊工藝控制、提高良率并
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SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
- 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨特功能和設(shè)計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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新版DeepSeek V3悄然發(fā)布 外媒：很強(qiáng)但少了"人味"
- 3月25日消息，中國人工智能初創(chuàng)公司DeepSeek悄然發(fā)布了一款新的大語言模型，在人工智能行業(yè)引發(fā)震動。這不僅因為其強(qiáng)大的能力，還因為其獨特的發(fā)布方式。這個大小為641GB的模型名為DeepSeek-V3-0324，于周一悄然出現(xiàn)在人工智能資源庫Hugging Face上，幾乎沒有任何官方公告，延續(xù)了該公司低調(diào)卻影響深遠(yuǎn)的發(fā)布風(fēng)格。此次發(fā)布尤其值得關(guān)注的是，該模型采用MIT許可（允許免費商用），并且有報道稱它可以直接在消費者級“硬件”上運(yùn)行，尤其是配備M3 Ultra芯片的蘋果Mac Studio。人工
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小米 15 Ultra 手機(jī)明日在韓上市，實體店上半年登陸首爾
- 3 月 24 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報道，小米韓國分公司今日表示，旗下旗艦智能手機(jī)、平板電腦和智能手表 25 日將在韓國正式上市，官方直營零售體驗店“小米之家”上半年將登陸首爾。報道稱，小米韓國此次將推出旗艦智能手機(jī) Xiaomi 15 Ultra、平板電腦 Xiaomi Pad 7、智能手表 Xiaomi Watch S4。Xiaomi 15 Ultra 將提供 3 種顏色，16GB+512GB 專業(yè)影像套裝售價為 169.9 萬韓元（注：現(xiàn)匯率約合 8412 元人民幣）。Xiaomi Pad 7 將提供 3
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET
- Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實現(xiàn)卓越的熱性
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英偉達(dá)正式發(fā)布Blackwell Ultra，黃仁勛預(yù)告下一代超級芯片
- 當(dāng)?shù)貢r間周二（3月18日），英偉達(dá)CEO黃仁勛在GTC主題演講中推出了新產(chǎn)品“Blackwell Ultra”，并預(yù)告了公司的下一代芯片“Rubin”。黃仁勛稱，去年幾乎全世界都參與到了建設(shè)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的浪潮之中，“計算需求——即AI縮放定律——更具彈性，速度也正在超快地增長。”“AI已實現(xiàn)巨大飛躍——推理和代理式AI需要數(shù)量級更高的計算性能。我們?yōu)檫@一刻設(shè)計了Blackwell Ultra，這是一個功能強(qiáng)大的單一平臺，能夠輕松高效地完成AI的預(yù)訓(xùn)練、后訓(xùn)練和推理任務(wù)。”據(jù)英偉達(dá)官網(wǎng)介紹，Bl
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性
- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
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UALink還是Ultra Ethernet，面向AI的數(shù)據(jù)中心協(xié)議
- AI 和 HPC 數(shù)據(jù)中心中的計算節(jié)點越來越需要擴(kuò)展到芯片或封裝之外，以獲取額外的資源來處理不斷增長的工作負(fù)載。他們可能會征用機(jī)架中的其他節(jié)點（縱向擴(kuò)展）或使用其他機(jī)架中的資源（橫向擴(kuò)展）。問題是目前沒有開放的 Scale-up 協(xié)議。到目前為止，這項任務(wù)一直由專有協(xié)議主導(dǎo)，因為大部分最高性能的計算都是在大型數(shù)據(jù)中心使用定制芯片和架構(gòu)完成的。雖然以太網(wǎng)在橫向擴(kuò)展方面很受歡迎，但對于 AI 和高性能計算工作負(fù)載來說，它并不理想。但兩種新協(xié)議 UALink 和 Ultra Ethernet 旨在解決當(dāng)前縱向擴(kuò)
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對蘋果生態(tài)用戶友好 小米SU7 Ultra支持iPhone互聯(lián)、后排iPad上車
- 3月14日消息，不僅是手機(jī)產(chǎn)品，小米在汽車領(lǐng)域也實現(xiàn)了與蘋果生態(tài)的深度融合。日前，小米汽車發(fā)文稱，小米SU7 Ultra全面支持蘋果生態(tài)產(chǎn)品，如iPhone、iPad等，其搭載的小米澎湃智能座艙有非常豐富的生態(tài)拓展能力，對蘋果生態(tài)用戶非常友好。小米汽車還提到，目前有超過50%的小米汽車車主都是蘋果用戶。據(jù)了解，小米SU7 Ultra支持無線蘋果CarPlay互聯(lián)，車主可享受iPhone中的音樂、導(dǎo)航等功能。在CarPlay連接狀態(tài)下，可以正常使用小愛同學(xué)，同時CarPlay也支持Siri語音喚醒。同時，小
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